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日立模块MBN1800F33F-C3 HITACHI功率模块IGBT
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发布时间：2022/3/31 9:05:14 来源:上多川 浏览次数:689 返回前页
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日立模块MBN1800F33F-C3 HITACHI功率模块IGBT
型号：MSM900GS17CLT；MSM600GS33ALT；MSM800GS33ALT；MSL800FS33NLT；MSL800FS33PLT；MBN1200F33F-C3；MBN1800F33F-C3
碳化硅（全碳化硅）
采用 SiC MOSFET 的超低开关损耗
高电流密度封装
低电感
可扩展、易于并联
碳化硅（混合碳化硅）
高级 Trench HiGT - sLiPT
碳化硅肖特基势垒二极管
采用 SiC 二极管的超低恢复损耗
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沪公网安备 31011502003262号